Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
TSM7N90CI C0G
Product Overview
Tootja:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Osanumber:
TSM7N90CI C0G-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 900 V 7A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventuur:
1974 tk Uus Originaal Laos
12898712
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
TSM7N90CI C0G Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Taiwan Semiconductor
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
900 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1969 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
40.3W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
ITO-220AB
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Põhitoote number
TSM7N90
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
TSM7N90
Lisainfo
Muud nimed
-2068-TSM7N90CIC0GDKR-DG
-2068-TSM7N90CIC0GDKR
TSM7N90CI C0G-DG
-2068-TSM7N90CIC0GDKRINACTIVE
TSM7N90CIC0G
-2068-TSM7N90CIC0G
Standardpakett
2,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMN61D8L-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
TSM2305CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
TSM60NB600CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251
BS107PSTOA
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE